微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，EBL光刻芯片加工，以及行业应用技术开发。光刻芯片加工

制作光刻掩膜版需要使用相关软件制作版图。

　　制作版图时，微流控光刻芯片加工，可以先使用ppt或者其他简单的绘图软件设计pattern，在此基础上，依据具体的图形大小、间距，使用Coredraw、CAD、L-edit等矢量图制作软件再次准确绘制，山东光刻芯片加工，获得光刻掩膜版制造方需要的版图格式文件。

光刻掩膜版制作大概分为7个步骤：

步骤一、在提供的掩膜基板上涂覆一层光刻胶；

步骤二、对步骤一所述光刻胶进行曝光、显影，形成光刻胶图案；

步骤三、采用物理气相沉积工艺或其他工艺在所述基板上在光刻胶图案的直孔内沉积一层掩膜材料；

步骤四、去除掩膜基板和光刻胶图案，得到初始掩膜板；

步骤五、在初始掩膜板的上、下表面分别形成光致刻蚀层图案；

步骤六、采用化学刻蚀工艺对初始掩膜板的下表面及直孔通孔的内壁进行刻蚀，形成具有斜锥角的曲线形凹槽；

步骤七、去除光致刻蚀层图案，得到掩膜板。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

常用的光刻机是掩模对准光刻，所以它被称为掩模对准系统。

正胶光刻的基本流程：衬底清洗、前烘以及预处理，涂胶、软烘、曝光、显影、图形检查，后烘。负胶光刻的基本流程：衬底清洗、前烘以及预处理、涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、图形检查。

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边缘的光刻胶一般涂布不均匀，产生边缘效应，不能得到很好的图形，铬版光刻芯片加工，而且容易发生剥离而影响其它部分的图形。

常用的光刻胶主要是两种，正性光刻胶（itive photoresist）被曝光的部分会被显影剂清除，负性光刻胶(negative photoresist)未被曝光的部分会被显影剂清除。正性光刻胶主要应用于腐蚀和刻蚀工艺，而负胶工艺主要应用于剥离工艺（lift-off）。

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铬版光刻芯片加工-半导体研究所(在线咨询)-山东光刻芯片加工由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所坚持“以人为本”的企业理念，拥有一支高素质的员工队伍，力求提供更好的产品和服务回馈社会，并欢迎广大新老客户光临惠顾，真诚合作、共创美好未来。半导体研究所——您可信赖的朋友，公司地址：广州市天河区长兴路363号，联系人：曾经理。