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氮化硅材料刻蚀加工厂 半导体研究所 四川材料刻蚀加工厂
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发布时间: 2023-05-15 14:51
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MEMS材料刻蚀加工——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。


刻蚀设备国产化进程

刻蚀机方面,Lam Research、TEL、应用材料都实现了硅刻蚀、介质刻蚀、金属刻蚀的全覆盖,占据了全i球干法刻蚀机市场80%以上的份额。

在中国市场,介质刻蚀机是我国zui具优势的半导体设备,目前,氮化硅材料刻蚀加工厂,我国主流设备中,去胶设备、刻蚀设备、热处理设备、清洗设备等的国产化率均已经达到20%以上。而这其中市场规模zui大的就是刻蚀设备。





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业界有个简单的比喻:如果把芯片比作一幅平面雕刻作品,四川材料刻蚀加工厂,那么光刻机是打草稿的画笔,刻蚀机是雕刻刀,沉积的薄膜则是用来雕刻的基础材料。光刻的精度直接决定了电路的走向和尺寸,而刻蚀和薄膜沉积的精度则决定了光刻的尺寸能否实际加工。所以师傅用刀刻掉不用的部分,雕成想要的图形,像芯片工艺流程中的刻蚀,今天主要为大家分享刻蚀工艺。

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湿法腐蚀:用液体化学试剂(如酸、碱和溶剂等)以化学的方式去除硅片表面的材料。

腐蚀液的搅拌和温度将会影响腐蚀速率,微流控材料刻蚀加工厂,在集成电路工艺中,大多是湿法化学刻蚀是将硅片浸入化学溶剂或向硅片上喷洒刻蚀溶剂。

对于浸入式刻蚀,是将硅片进入化学溶剂,通过需求搅拌来保证刻蚀过程以一致或者恒定的速率进行;

喷洒式刻蚀通过不断向硅片表面提供新的刻蚀剂来极大地增加刻蚀速率和一致性,氮化镓材料刻蚀加工厂,喷洒式较浸入式会更好一点。

湿法化学刻蚀在进行图形转移的大缺点是掩模下会出现横向钻蚀,导致刻蚀后图形的分辨率下降。为了达到较大规模集成电路的工艺要求的高精度光刻胶抗蚀剂的图形转移,行业开始采用干法刻蚀。





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