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氮化钛真空镀膜 半导体研究所 陕西真空镀膜
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发布时间: 2022-10-03 11:39
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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,陕西真空镀膜,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。


 为尽量减小真空镀膜机真空室形变带来的影响,我们将导轨、丝杆等传动件固定于一个刚性的中间层上,其与真空室底壁之间采用点、线、面活性支撑,以吸收和隔离形变,氮化钛真空镀膜,并设置形变补偿调节机构,在系统抽真,参照有限元计算提供的理论数据预设适当的补偿量,以使其在真空状态下达到平衡。为了验证有限元计算的结果,对真空室的形变和补偿进行了测试。一步,将四只千分表定位在工作台安装基点的真空壁外侧,当真空室由大气抽到真空时,记录各千分表的变化量,经归i一化处理后为用激光自准直仪调整i形变补偿。




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 溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面,使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常,利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成,基片作为阳极,真空室中通入0.1-10Pa的气或其它惰性气体,在阴极(靶)1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面,使得靶原子溅出并沉积在基片上,形成薄膜。溅射方法很多,主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。





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电子束蒸发,行星机构在沉积薄膜时均匀转动,铁金属真空镀膜,各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处,各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用磁控溅射镀膜方法,由于沉积电流和靶电压可以控制,也即是溅射功率可以调节并控制,因此膜厚的可控性和重复性较好,并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。Al膜厚度的测量可采用金属膜厚测量仪,它是根据涡流原理设计制造的无损测厚仪。根据工艺参数,我们制备了一批试样,样品经测试,溅射Al薄膜的平均厚度是1.825μm,电子束蒸发Al薄膜的平均厚度是1.663μm,均符合半导体器件电极对Al膜厚的要求(小信号为1.7±0.15μm;大功率为2.5±0.3μm。

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氮化钛真空镀膜-半导体研究所(在线咨询)-陕西真空镀膜由广东省科学院半导体研究所提供。“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”选择广东省科学院半导体研究所,公司位于:广州市天河区长兴路363号,多年来,半导体研究所坚持为客户提供好的服务,联系人:曾经理。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。半导体研究所期待成为您的长期合作伙伴!
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