微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，安徽光刻，以及行业应用技术开发。

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。

普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高曝光系统分辨率的性能，人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。伴随着新一代曝光技术（NGL）的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一

接触式曝光和非接触式曝光的区别，在于曝光时掩模与晶片间相对关系是贴紧还是分开。

正胶曝光前，光刻胶不溶于显影液，曝光后，曝光区溶于显影液，图形与掩膜版图形相同；而负性光刻胶，曝光前光刻胶可溶于显影液，曝光后，被曝光区不溶于显影液，图形与掩膜版图形相同。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~

微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，微纳光刻，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，芯片光刻，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻其实是由多步工序所组成的。

1.清洗：

2.旋涂：

3.曝光。

4.显影：

5.后烘。

边缘的光刻胶一般涂布不均匀，器件光刻，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形。所以需要去除。方法：

a、化学的方法（ChemicalEBR）。软烘后，用PGMEA或EGMEA去边溶剂，喷出少量在正反面边缘处，并小心控制不要到达光刻胶有效区域；

b、光学方法（OpticalEBR）。即硅片边缘曝光。

在完成图形的曝光后，用激光曝光硅片边缘，然后在显影或特殊溶剂中溶解；对准方法：

a、预对准，通过硅片上的notch或者flat进行激光自动对准；

b、通过对准标志（AlignMark），位于切割槽（ScribeLine）上。

欢迎来电咨询半导体研究所哟~

芯片光刻-安徽光刻-半导体微纳光刻实验室由广东省科学院半导体研究所提供。行路致远，砥砺前行。广东省科学院半导体研究所致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为电子、电工产品加工具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!