低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
由于光伏级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷，导致硅中少子寿命及扩散长度降低，叉指电极真空镀膜服务，从而导致电池的转换效率下降，H能与硅中的缺陷或杂质进行反应，从而将禁带中的能带转入价带或者导带。PECVD 系统是一组利用平行板镀膜舟和高频等离子激i发器的系列发生器。在低压和升温的情况下，等离子发生器直接装在镀膜板中间发生反应。所用的活性气体为硅i烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅i烷对氨气的比率，来得到不同的折射指数。在沉积工艺中，伴有大量的氢原子和氢离子的产生，使得晶片的氢钝化性十分良好。在真空、480摄氏度的环境温度下，通过对石墨舟的导电，使硅片的表面镀上一层SixNy。
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PECVD集成了真空、化学、物理、机械、电气、高频等各方面的技术，是一个较为复杂的系统。在设备研究方面，主要解决低温稳定性、粉尘污染、气路气密性、高频辉光放电、全自动计算机控制等技术问题;在工艺研究方面，主要解决膜厚均匀性、工艺重复性、光电转换效率等技术问题。在使用本设备制作薄膜时要注意3个方面的问题，使用前的调试、制作薄膜的程序和使用完后的归位工作。当对PECVD通上电时，本机有黄、绿、红三色灯泡指示，然后按下“上电开关”，待两分钟后按炉体“加热”开关即可，记下各温区的升温电流的大小(用钳形表测量)，并记下升温时间、到达设定温度时间。当各温区到达预计温度时，对两个温控仪表进行一次自整定，然后对中间一个仪表再整定。待数分钟后若3个温区仪表显示非常平稳时，认定为PID各个参数合适，若发现某个仪表不稳就再进行一次自整定。
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要进行CVD镀膜，前提是找到合适的前驱体，它能够提供工艺腔室中所需膜层的全部成分。比如，氨气和二氯硅i烷被用作氮化硅沉积工艺的前驱体，氯化亚锡或有机锡化合物以及氧气或水蒸汽作为前驱体，用于平面玻璃上沉积二氧化i锡隔热涂层。二氧化i锡也可保护滤光系统中的玻璃件，避免因碰撞或机械应力造成潜在损伤。基材表面的状态会影响膜层的生长，只有工艺设计合理，叉指电极真空镀膜加工厂商，才能保障金属材质在基材表面特殊区域内按预期生长；比如，只在导电区域而不在绝缘区域生长。在微电子领域，这种有选择性的镀膜让CVD和PECVD工艺备受欢迎。
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