低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，LPCVD真空镀膜技术，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
PECVD作为太阳电池生产线上的关键设备之一，其市场需求相当大，所以PECVD技术在70年代以来已成为研究的热点，并将不断成长为一项成熟的技术。PECVD与一般的CVD方法相比既有相同之处，又有它独i特的优势。以下将详细介绍PECVD装置的原理、特点、结构参数、性能指标、操作规范和保养维修等。目前太阳能光伏市场上用的PECVD设备，国外的主要有德国centrotherm和日本岛津的镀膜设备;国内的主要有生产型管式PECVD，接下来就该管式PECVD的工作原理、结构性能参数、操作调试过程和维护保养工作做一个详尽的介绍。
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磁控溅射镀膜（MSP）是一种先进的表面装饰镀膜技术，膜材做成阴极圆柱磁控旋转靶置于镀膜室中央，通入工作气体，在电压（直流或脉冲）作用下产生真空辉光放电，360℃方向辐射镀膜。靶材利用率高，工作温度低，可用于金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷等）工件镀制铝、铜、铬、镍、钛、金、银以及不锈钢等薄膜，河北真空镀膜技术，通入反应气体可镀多种化合物膜，镀膜层具有均匀、致密、附着力强、绕射性好等特点，广泛用于家用电器、钟表、工艺美术、玩具、车灯反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜。
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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，EB真空镀膜技术，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激i活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。
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