MEMS微纳加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，河北微纳加工委托加工，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

新一代微纳制造系统应满足的要求：能生产多种多样高度复杂的微纳产品。

在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。蒸发沉积（热蒸发、电子束蒸发）和溅射沉积是典型的物理方法，主要用于沉积金属单质薄膜、合金薄膜、化合物等。热蒸发是在高真空下，阳极键合微纳加工委托加工，利用电阻加热至材料的熔化温度，使其蒸发至基底表面形成薄膜，而电子束蒸发为使用电子束加热；磁控溅射在高真空，在电场的作用下，Ar气被电离为Ar离子高能量轰击靶材，使靶材发生溅射并沉积于基底；磁控溅射方法沉积的薄膜纯度高、致密性好，热蒸发主要用于沉积低熔点金属薄膜或者厚膜；化学气相沉积（CVD）是典型的化学方法而等离子体增强化学气相沉积（PECVD）是物理与化学相结合的混合方法，CVD和PECVD主要用于生长氮化硅、氧化硅等介质膜。

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MEMS微纳加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

微纳加工按技术分类，主要分为平面工艺、探针工艺、模型工艺。

微纳加工工艺基本分为表面加工体加工两大块，基本流程如下：表面加工基本流程如下：

先：沉积牺牲层材料；

第二步：光刻定义牺牲层图形；

第三步：刻蚀完成牺牲层图形转移；

第四步：沉积结构材料；

第五步：光刻定义结构层图形；

第六步：刻蚀完成结构层图形转移；

第七步：释放去除牺牲层，保留结构层，完成微结构制作；

体加工基本流程如下：

先：沉积保护层材料；

第二步：光刻定义保护图形；

第三步：刻蚀完成保护层图形转移；

第四步：腐蚀硅衬底，制作三维立体腔结构

第五步：去除保护层材料。

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在微纳加工过程中，薄膜的形成方法主要为物理沉积、化学沉积和混合方法沉积。

微纳加工氧化工艺是在高温下，衬底的硅直接与O2发生反应生成SiO2，微流控微纳加工委托加工，后续O2通过SiO2层扩散到Si/SiO2界面，继续与Si发生反应增加SiO2薄膜的厚度，生成1个单位厚度的SiO2薄膜，需要消耗0.445单位厚度的Si衬底；相对CVD工艺而言，氧化工艺可以制作更加致密的SiO2薄膜，有利于与其他材料制作更加牢固可靠的结构层，提高MEMS器件的可靠性。同时致密的SiO2薄膜有利于提高与其它材料的湿法刻蚀选择比，提高刻蚀加工精度，制作更加精密的MEMS器件。同时氧化工艺一般采用传统的炉管设备来制作，成本低，产量大，一次作业100片以上，SiO2薄膜一致性也可以做到更高 /-3%以内。

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阳极键合微纳加工委托加工-河北微纳加工委托加工-半导体加工由广东省科学院半导体研究所提供。行路致远，砥砺前行。广东省科学院半导体研究所致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为电子、电工产品加工具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!