低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 通过PECVD镀膜原理的讨论，以及后续实验的验证得出以下结论。1.硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异，从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异，表现出不同颜色，即色差。2.卡点的导电导热性能发生较大改变时，原来的工艺难以匹配旧卡点。因此，旧卡点产生的色差片相对要多。3.温度会影响气体反应速率。温度高反应剧烈，膜层生长较快，温度低反应缓慢，膜层生长较慢，那么，同一硅片就会产生色差。4.当舟叶表面的平整度发生变化时，电场就会发生改变。因此，同一硅片的不同区域的氮化硅膜层生长速度不同，从而产生色差。

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磁控溅射镀膜（MSP）是一种先进的表面装饰镀膜技术，膜材做成阴极圆柱磁控旋转靶置于镀膜室中央，通入工作气体，在电压（直流或脉冲）作用下产生真空辉光放电，360℃方向辐射镀膜。靶材利用率高，工作温度低，可用于金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷等）工件镀制铝、铜、铬、镍、钛、金、银以及不锈钢等薄膜，通入反应气体可镀多种化合物膜，共溅射真空镀膜服务，镀膜层具有均匀、致密、附着力强、绕射性好等特点，广泛用于家用电器、钟表、工艺美术、玩具、车灯反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜。

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 真空镀膜技术一般分为两大类，即物理的气相沉积技术和化学气相沉积技术。物理的气相沉积技术是指在真空条件下，利用各种物理方法，将镀料气化成原子、分子或使其离化为离子，直接沉积到基体表面上的方法。制备硬质反应膜大多以物理的气相沉积方法制得，它利用某种物理过程，如物质的热蒸发，或受到离子轰击时物质表面原子的溅射等现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移过程。物理的气相沉积技术具有膜/基结合力好、薄膜均匀致密、薄膜厚度可控性好、应用的靶材普遍、溅射范围宽、可沉积厚膜、可制取成分稳定的合金膜和重复性好等优点。同时，物理的气相沉积技术由于其工艺处理温度可控制在500℃以下，因此可作为较终的处理工艺用于高速钢和硬质合金类的薄膜刀具上。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体，借助气相作用或基体表面上的化学反应，在基体上制出金属或化合物薄膜的方法，主要包括常压化学气相沉积、低压化学气相沉积和兼有CVD和PVD两者特点的等离子化学气相沉积等。

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