低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：

 真空镀膜的方法比较多，重庆叉指电极真空镀膜，计有：

(1)真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13.3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。

(2)阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如)通入已抽空的室内，保持压强约1.33～13.3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的离子撞击阴极，使其射出原子，叉指电极真空镀膜加工，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。

(3)化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。

(4)离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。

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真空电镀加工时产生掉膜的原因比较多也比较复杂。处理起来比较棘手，可以考虑从以下几个方面排除：

1、表面清洁度：产品表面洁净度不够，可以考虑离子源清洗时气放大、时间长点。

2、真空镀膜清洗过程中的问题：镀前清洗不到位，或更换了清洗液。

3、工艺的问题：工艺参数是否有变动，在镀膜时间和电流上做适当调整。

4、靶材的问题：钛靶是否中i毒，检查和更换。

5、真空腔是否漏气：进行一次捡漏。

6、产品表面氧化：氧化的原因比较多，可以自行判断处理。

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 传统晶硅太阳电池的生产工艺过程分别为清洗制绒、扩散、刻蚀、PECVD、丝网印刷和烧结等步骤，其中清洗制绒工艺将严重影响硅片表面的绒面的均一性。取两片清洗制绒后硅片，在同一条件下进行PECVD镀氮化硅膜，片1的表面均一性较差，片2的表面均一性良好，其绒面大小约2.13μm。通过实验表明，通过PECVD沉积在片1表面的氮化硅薄膜产生了色差，即部分区域偏红，部分区域偏白。这是由于同一条件下，反应气体流量相同，比表面积大的区域沉积的氮化硅厚度越小，而比表面积小的区域则反之。相比之下，叉指电极真空镀膜服务价格，片2表面均一性较好且无色差，可见，硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异，从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异，表现出不同颜色，即色差。

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