微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，半导体光刻定制服务价格，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻胶是由光引发剂（包括光增感剂、光致产酸剂）、光刻胶树脂、单体、溶剂和其他助剂组成。

光刻可能会出现显影不干净的异常，主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长，溶液溶解胶量较多、曝光时间不足，主要的解决方法有增加显影时间、更换新的显影液，增强溶液溶解能力、增加曝光时间。

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接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产等特点。

光刻技术是集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，湖南半导体光刻定制，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，半导体光刻定制平台，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被到光刻胶薄膜上；后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。

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光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法：湿法清洗 去离子水冲洗 脱水烘焙（热板150～250C，1～2分钟，氮气保护）目的：

a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；

b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷）。

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