低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 真空镀膜主要利用辉光放电(glowdischarge)将Ar离子撞击靶材(target)表面，靶材的原子被弹出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好，但是镀膜速度却比蒸镀慢比较多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的Ar离子化，造成靶与Ar离子间的撞击机率增加，提高溅镀速率。一般金属镀膜大都采用直流溅镀，而不导电的陶磁材料则使用RF交流溅镀，基本的原理是在真空中利用辉光放电(glowdischarge)将Ar离子撞击靶材(target)表面，电浆中的阳离子会加速冲向作为被溅镀材的负电极表面，这个冲击将使靶材的物质飞出而沉积在基板上形成薄膜。

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 钝化接触在两个方面上优异于其他传统电池结构：

（1）金属／半导体界面的复合通过晶硅和金属接触之间的钝化层而减少；

（2）多子可以由隧穿效应移动到金属接触，但少子因为载流子选择性不能从晶硅移动到金属接触。这种钝化接触可用本征非晶硅或者超薄氧化硅作为钝化层。基于非晶硅的钝化接触便是异质结电池结构或者HIT；基于SiO2的钝化接触和多晶硅的叠加结构便是TOPCon技术。因为异质结结构目前工艺过程中有温度限制，所以poly－Si／SiOx代替了非晶硅吸引到了众多研究者和企业的关注。

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真空蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发容器待形成薄膜的原材料，使其原子或者分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到衬底或者基片表面，凝结形成固态薄膜的方法。真空蒸发镀膜法，设备比较简单、容易操作、制成的薄膜纯度高、质量好、膜厚容易控制，氮化铝真空镀膜价格，成膜速率快，效果高。

真空镀膜技术一般分为两大类，氧化钛真空镀膜价格，即物理的气相沉积技术和化学气相沉积技术。

PECVD主要由工艺管及电阻加热炉、净化推舟系统、气路系统、电气控制系统、计算机控制系统、真空系统6大部分组成。PECVD的主要性能指标，PECVD设备的主要特点，该设备成膜种类为氮化硅，这种PECVD成膜均匀性好、稳定性高。

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