氮化镓材料刻蚀加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，吉林材料刻蚀平台，以及行业应用技术开发。

蚀刻加工到底分几类？

　　1．蚀刻加工准确的说就是用化学办法按必定的深度除掉不需要的金属。蚀刻加工办法的金属画、工艺品和缕空艺术品赚取了很多的外汇，腐蚀加工已经形成了一个新型产业。

　　2．蚀刻加工技能的通常过程（1）蚀刻加工技能的分类

　　A．化学腐蚀加工

　　B．电解蚀刻 （2）化学蚀刻加工的通常工艺流程预蚀刻→蚀刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蚀膜→水洗→枯燥 （3）电解蚀刻的通常工艺流程入橹→敞开电源→蚀刻→水洗→浸酸→水洗→去抗蚀膜→水洗→枯燥

　　3．化学蚀刻加工的几种方式对等到应用

　　（1）静蚀刻加工 即将被蚀刻的板或零件浸入蚀刻液，待蚀刻必定深度后取出，水洗，然后进入下道工序。该办法只适用于少数的试验品或试验室运用。

　　（2）动蚀刻加工 A．鼓泡式（也称吹气式），即把容器内的蚀刻液用空气拌和鼓泡（吹气）的办法进行蚀刻。 B．泼溅式，在一个容器内用泼溅的办法把蚀刻液泼在被蚀刻加工物体外表进行蚀刻加工的办法。 C．喷淋式，用必定压力将蚀刻液喷淋在被蚀刻物体的外表进行蚀刻加工

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刻蚀基本目标是在涂胶的硅片上正确地复i制掩模图形。

干刻蚀是一类较新型，但迅速为半导体工业所采用的技术。其利用电浆(sma)来进行半导体薄膜材料的刻蚀加工。其中电浆必须在真空度约10至0.001Torr的环境下，才有可能被激发出来；而干刻蚀采用的气体，或轰击质量颇巨，或化学活性极高，氧化硅材料刻蚀平台，均能达成刻蚀的目的。干刻蚀基本上包括离子轰击与化学反应两部份刻蚀机制。偏「离子轰击」效应者使用气(argon)，加工出来之边缘侧向侵蚀现象极微。而偏化学反应效应者则采氟系或氯系气体(如四氟化碳CF4)，深硅刻蚀材料刻蚀平台，经激发出来的电浆，即带有氟或氯之离子团，可快速与芯片表面材质反应。删轿厚干刻蚀法可直接利用光阻作刻蚀之阻绝遮幕，不必另行成长阻绝遮幕之半导体材料。而其较重要的优点，能兼顾边缘侧向侵蚀现象极微与高刻蚀率两种优点，换言之，本技术中所谓活性离子刻蚀已足敷页堡局渗次微米线宽制程技术的要求，而正被大量使用。

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湿法刻蚀优点是选择性好、重复性好、生产、设备简单、成本低。

工艺所用化学物质取决于要刻蚀的薄膜类型。介电刻蚀应用中通常使用含氟的化学物质。硅和金属刻蚀使用含氯成分的化学物质。在工艺中可能会对一个薄膜层或多个薄膜层执行特定的刻蚀步骤。当需要处理多层薄膜时，以及刻蚀中必须精i确停在某个特定薄膜层而不对其造成损伤时，刻蚀工艺的选择比就变得非常重要。选择比是两个刻蚀速率的比率：被去除层的刻蚀速率与被保护层的刻蚀速率（例如刻蚀掩膜或终止层）。掩模或停止层）通常都希望有更高的选择比。

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