低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
热蒸发主要是三个过程：
1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。
2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输
3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程，电子束蒸发真空镀膜加工平台，即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。
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膜厚。沉积时间的不同膜厚也是不一样的要根据镀膜的颜色来适当的增加或减少它的沉积时间，浙江真空镀膜加工平台，片子发白要减少沉积时间，如偏红则要适当的增加。每一舟片子要全i面的确认，不允许把不良品流入到下道工序，如色i斑、水印镀膜不良，应及时挑出产线常见的表面发白、色差、白点，其中表面发白主要由于氮化硅膜较厚导致，可通过调节膜沉积时间来调整；色差片主要由于气路堵塞、石英管漏气、微波故障等导致；白斑主要由于前道小黑点导致。反射率、折射率等的监测、特殊气体的安全等。
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低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，磁控溅射真空镀膜加工平台，以及行业应用技术开发。
PECVD方法区别于其他CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激i活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。利用高频电源辉光放电产生等离子体对化学气相沉积过程施加影响的技术被称为等离子体增强CVD。电子和离子的密度达109～1012个/cm3，平均电子能量可达1～10eV。成膜过程在真空中进行，大约在5～500Pa范围内。由于等离子体存在，促进气体分子的分解、化合、激发和电离，生物芯片真空镀膜加工平台，促进反应活性基团的生成，从而降低沉积温度。PECVD在200℃～500℃范围内成膜，远小于其他CVD在700℃～950℃范围内成膜。PECVD成膜均匀，尤其适合大面积沉积。由于在氨气压条件下，提高了活性基团的扩散能力，从而提高薄膜的生长速度一般可达30～300nm/min以上。
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