真空镀膜工艺MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

使用电子束来加热蒸发形成蒸发膜的优点有以下几条：首先，镀膜机中的电子束加热的方法相较于传统的电阻加热方法而言，河南真空镀膜工艺，电子束加热会产生更高的通量密度，对于那些高熔点的材料的蒸发可以说是有利条件，还可以使蒸发速率得到一定程度上的提高。其次，蒸发镀膜机在工作的时候会将需要被蒸发的原材料放入到水冷铜坩埚内，这样就可以保证材料避免被污染，大幅度提高薄膜的纯度，制造高纯度的薄膜。后，电子束蒸发的粒子动能较大，有利于薄膜的精密结合。

电子束蒸发镀膜机的系统组成一般大致相同系统主要由蒸发真空室、E型电子、热蒸发电极、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、电控系统及安装机台等部分组成。

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真空镀膜技术作为一种产生特定膜层的技术，在现实生产生活中有着广泛的应用。真空镀膜技术有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。这里主要讲一下由溅射镀膜技术发展来的磁控溅射镀膜的原理及相应工艺的研究。

溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。

通常将欲沉积的材料制成板材-靶，固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上，距靶一定距离。系统抽至高真空后充入(10~1)帕的气体(通常为气)，在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子，其能量在1至几十电子伏范围内。溅射原子在基片表面沉积成膜。

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(7)流量计I置于阀控档(看是否有读数，一般为30。否则查明原因)，调节控制电离真空计示数约1Pa，调节直流或射频电源到所需功率，低压气相沉积真空镀膜工艺，开始镀膜。

(8)镀膜过程中注意设备工作状态，若工艺参数有异常变化应及时纠正或停止镀膜，电子束蒸发真空镀膜工艺，问题解决后方可重新镀膜。

(9)镀膜完毕后，关闭直流或射频电源，关闭气阀门。将挡板逆时针旋至通路。当气罐流量变为零后，关闭流量计I，继续抽半个小时到两个小时。

(10)关闭流量显示仪和电离真空计，停止分子泵，频率降至100HZ后关闭机械泵，5分钟后关闭分子泵，关闭总电源。

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