等离子体增强气相沉积真空镀膜MEMS真空镀膜加工平台——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

3试验

3.1试验目的

①熟悉真空镀膜的操作过程和方法。

②了解磁控溅射镀膜的原理及方法。

③学会使用磁控溅射镀膜技术。

④研究不同工作气压对镀膜影响。

3.2试验设备

SAJ-500超高真空磁控溅射镀膜机(配有纯铜靶材) ;气瓶;陶瓷基片;擦镜纸。

3.3试验原理

3.3. 1磁控溅射沉积镀膜机理

磁控溅射系统是在基本的二极溅射系统发展而来，解决二极溅射镀膜速度比蒸镀慢很多、等离子体的离化率低和基片的热效应明显的问题。磁控溅射系统在阴极靶材的背后放置强力磁铁，真空室充入0.1~ 10Pa压力的惰性气体(Ar)，作为气体放电的载体。

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  PVD真空镀膜机沉积速度快、沉积温度低、物理手段对环境友好、更适应硬质合金精密复杂刀具的涂层。PVD是指在真空条件下利用高温蒸发或高能粒子等物理方法轰击靶材，等离子体增强气相沉积真空镀膜多少钱，使靶材表面原子“蒸发”并沉积在衬底表面，沉积速率高，一般适用于各类金属、非金属、化合物膜层的平面沉积。按照沉积时物理机制的差别，物理气相沉积一般分为真空蒸发镀膜技术、真空溅射镀膜、离子镀膜和分子束外延等。近年来，薄膜技术和薄膜材料的发展突飞猛进、成果显著，在原有基础上，相继出现了离子束增强沉积技术、电火花沉积技术、电子束物理气相沉积技术和多层喷射沉积技术等。

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溅射靶材作为一种大型的镀膜原料，其靶材的形状、纯度、密度、孔隙率、晶粒尺寸、结合质量等特性对薄膜质量和溅射率有很大影响。在这里，我们解释了溅射靶材的相对密度和间隙对大面积涂层的影响。

靶材相对密度对大面积镀膜的影响

靶材的相对密度是靶材的实际密度与理论密度之比。单组分靶的理论密度为晶体密度。合金或混合物靶材的理论密度由各组分的理论密度及其在合金或混合物中的比例计算得出。热喷涂的靶材结构疏松多孔，含氧量高（即使在真空喷涂中，也很难避免合金靶材中氧化物和氮化物的产生）。表面呈灰色，缺乏金属光泽。吸附的杂质和水分是主要污染源，阻碍了高真空的快速获得，在溅射过程中迅速导致放电，甚至烧毁靶材。

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