MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，功率器件光刻定制技术，以及行业应用技术开发。

薄膜工艺就是指在半导体晶晶圆片上沉积各种材料，功率器件光刻定制外协，以实现不同电路功能或特性的过程。和前面几个工艺步骤是按工艺过程来命名不同，这一步骤命名方式是按材料的“状态”来命名的。这个命名甚至让人看起来有些费解，从示意图看，半导体器件看上去都是厚厚的一个个器件，哪来的薄膜？

其实为了理解方便，半导体器件结构在图示时经过了抽象和不等比例的放大，实际中半导体器件在晶圆片上非常薄的一层内实现。通常厚度在1微米以内。对于一个8英寸（200毫米）的晶圆片来说，云南功率器件光刻定制，1微米的厚度薄膜的制作，相当于在200米直径的操场上，均匀的堆积1毫米厚的沙子。这层薄膜非常的薄，但功能却非常强大。各个半导体器件之间或是金属连接，或是电场联系，均需要用这些薄膜层实现。薄膜层实现了各器件间复杂贯穿的“阡陌交通”。正是因为这层结构非常的薄，于是就被称作“薄膜”工艺。这么薄的膜层不能通过机械方式来制造，于是，掺杂“沉积”（Deition）工艺被发明出来。

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在芯片晶圆上，有一些特殊的部分和特定的名称，比如：

Wafer：指整张晶圆Chip、Die：是指一小片带有电路的硅片划片道（Scribe line）：指Die与Die之间无功能的空隙，可以在这些安全的切割晶圆，而不会损坏到电路测试单元：一些用于表征Wafer工艺性能的测试电路单元，规律分布于Wafer各位置边缘Die（Edge Die）：Wafer边缘的一部分电路，通常这部分因为工艺一致性或切割损坏，会被损失。这部分损失在大的晶圆片中占比会减少切割面（Flat Zone）：被切成一个平面的晶圆的一条边，可以帮助识别晶圆方向

晶圆制备完成后，半导体的画布就形成了。后续半导体工艺由此开始。

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能光成像可以解决密形封装中出现的间题。在啸形封装中，当你把芯片放在上面时，芯片波此之间并不。很住将付片地保持在人们想要的微米范围内。然而，激光比成像可以解决病出型封装的肩移问题。同时，“自适应图案化”技术则是解决芯片偏移的—种方法。

国外Suss MicroTec公司在开发激光烧烛的干法图案化工艺。Suss的准分子烧蚀步进式曝光机结合了基于掩模板的图案化烧蚀。可以实现3pum的line/space，而2-2um也在进展中。

准分董优疣光的的是利所防率崇外(UVY)准分子就光拥的将胜直接去除材梓。典型的波长是3U6m 246om和]1931m。准分子说怏瞬间将相容的目标材料(和聚台物、有初机电介质)从固态转化为气态和副产物(即亚微米干碳颗粒)，从而产生很少甚至没有热影响区以及更少的碎片。

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