微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

每颗芯片诞生之初，都要经过光刻机的雕刻，精度要达到头发丝的千分之一。

整个光刻显影过程中，TMAH没有同PHS发生反应。负性光刻胶的显影液。二甲i苯。清洗液为乙i酸丁脂或乙醇、三氯乙i烯。显影中的常见问题：

a、显影不完全（IncompleteDevelopment）。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成；

b、显影不够（UnderDevelopment）。显影的侧壁不垂直，由显影时间不足造成；

c、过度显影（OverDevelopment）。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解，形成台阶。显影时间太长。硬烘方法：热板，100～130C（略高于玻璃化温度Tg），广东光刻，1～2分钟。目的：完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂（以免在污染后续的离子注入环境，例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂）；

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常用的光刻机是掩模对准光刻，所以它被称为掩模对准系统。

正胶光刻的基本流程：衬底清洗、前烘以及预处理，涂胶、软烘、曝光、显影、图形检查，电子束光刻，后烘。负胶光刻的基本流程：衬底清洗、前烘以及预处理、涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、图形检查。

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目前中国光刻胶国产化水平严重不足，玻璃光刻，重点技术差距在半导体光刻胶领域，有2-3代差距。

在光刻过程中可能会出现光刻胶未涂满衬底的异常，主要原因可能以下几个：滴胶量不、胶液偏离衬底中心、滴胶是有气泡、滴胶是有“倒角”，主要的叫绝方法有：增加滴胶量、调整匀胶机水平位置、调整滴胶位置、在“倒角”处滴胶、消除“倒角”。

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