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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

光刻机又被称为:掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。

每颗芯片诞生之初,都要经过光刻机的雕刻,精度要达到头发丝的千分之一,如今,全世界能够生产光刻机的国家只有四个,中国成为了其中的一员,实现了从无到有的突破。光刻机又被称为:掩模对准曝光机、曝光系统、光刻系统等。常用的光刻机是掩模对准光刻,所以它被称为掩模对准系统。它指的是通过将硅晶片表面上的胶整平,然后将掩模上的图案转移到光刻胶,将器件或电路结构暂时“复i制”到硅晶片上的过程。它不是简单的激光器,但它的曝光系统基本上使用的是复杂的紫外光源。光刻机是芯片制造的中心设备之一,根据用途可分为几类:光刻机生产芯片;有光刻机包装;还有一款投影光刻机用在LED制造领域。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一,主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究,光刻加工平台,兼顾重大技术应用的基础研究,立足于广东省经济社会发展的实际需要,河北光刻,从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究,以及行业应用技术开发。

常用的光刻机是掩模对准光刻,所以它被称为掩模对准系统。

正胶光刻的基本流程:衬底清洗、前烘以及预处理,涂胶、软烘、曝光、显影、图形检查,后烘。负胶光刻的基本流程:衬底清洗、前烘以及预处理、涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、图形检查。

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每颗芯片诞生之初,都要经过光刻机的雕刻,精度要达到头发丝的千分之一。

整个光刻显影过程中,TMAH没有同PHS发生反应。负性光刻胶的显影液。二甲i苯。清洗液为乙i酸丁脂或乙醇、三氯乙i烯。显影中的常见问题:

a、显影不完全(IncompleteDevelopment)。表面还残留有光刻胶。显影液不足造成;

b、显影不够(UnderDevelopment)。显影的侧壁不垂直,由显影时间不足造成;

c、过度显影(OverDevelopment)。靠近表面的光刻胶被显影液过度溶解,形成台阶。显影时间太长。硬烘方法:热板,100~130C(略高于玻璃化温度Tg),1~2分钟。目的:完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂(以免在污染后续的离子注入环境,例如DNQ酚醛树脂光刻胶中的氮会引起光刻胶局部爆裂);

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