微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，其前身是2010年10月在成立的广东半导体照明产业技术研究院。2015年6月经省政府批准，由原广东省科学院、广东省工业技术研究院（广州有色金属研究院）、广东省测试分析研究所（中国广州分析测试中心）、广东省石油化工研究院等研究院所整合重组新广东省科学院，2016年4月成为独立法人单位广东省半导体产业技术研究院，2020年8月正式更名为广东省科学院半导体研究所。主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。在第三代氮化物半导体领域具备贯穿全产业链的研发与中试支撑能力，在集成电路领域具备设计、封装、评测等多点支撑能力。拥有近5000平方米的研发基地，其中超净实验室超1000平方米，拥有MOCVD等100多台/套关键设备，设备总价值过亿元。目前已建立材料外延、微纳加工、封装应用、分析测试四大科研平台，广西壮族自治光刻，硬件条件达到先进水平，光刻代工，是国内第三代宽禁带半导体材料研究的重要基地，也是国内少数拥有完整半导体工艺链的研究平台之一，并且具备2-6英寸第三代半导体产业技术的中试能力。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻涂胶四周呈现放i射性条纹，主要可能的原因是光刻胶有颗粒、衬底未清洗干净，表面有颗粒、滴胶后精致时间过长，部分光刻胶固话，解决的方法主要有更换光刻胶，使用新的光刻胶涂胶来测试一下、将衬底再清洗一次再涂胶、滴胶后马上旋涂，以免光刻胶有所固化

光刻胶旋转速度，速度越快，厚度越薄；影响光刻胶均匀性的参数：旋转加速度，加速越快越均匀；与旋转加速的时间点有关。一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关（因为不同级别的曝光波长对应不同的光刻胶种类和分辨率）：I-line较厚，约0.7～3μm；KrF的厚度约0.4～0.9μm；ArF的厚度约0.2～0.5μm。软烘方法：真空热板，85～120C，30～60秒；目的：除去溶剂（4～7%）；增强黏附性；释放光刻胶膜内的应力；防止光刻胶玷污设备；边缘光刻胶的去除：光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。

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光刻可能会出现显影不干净的异常，光刻服务，主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长，溶液溶解胶量较多、曝光时间不足。

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法：湿法清洗 去离子水冲洗 脱水烘焙（热板150～250C，1～2分钟，氮气保护）目的：

a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；

b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷）。

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光刻加工厂-广西壮族自治光刻-半导体微纳加工公司由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所位于广州市天河区长兴路363号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前半导体研究所在电子、电工产品加工中享有良好的声誉。半导体研究所取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。半导体研究所全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。