低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，PECVD真空镀膜，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，MEMS真空镀膜，以及行业应用技术开发。
“低温CVD”工艺应用范围十分广泛，我们半导体研究院在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材，PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如，生物芯片真空镀膜，该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面，所以PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。此外，PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。PECVD设备可根据客户需求定制并根据其预期工艺指标适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块，拓展技术能力。
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电子束蒸发，行星机构在沉积薄膜时均匀转动，各个基片在沉积Al膜时的几率均等;行星机构的聚焦点在坩埚蒸发源处，宁夏回族自治真空镀膜，各个基片在一定真空度下沉积速率几乎相等。采用磁控溅射镀膜方法，由于沉积电流和靶电压可以控制，也即是溅射功率可以调节并控制，因此膜厚的可控性和重复性较好，并且可在较大表面上获得厚度均匀的膜层。Al膜厚度的测量可采用金属膜厚测量仪，它是根据涡流原理设计制造的无损测厚仪。根据工艺参数，我们制备了一批试样，样品经测试，溅射Al薄膜的平均厚度是1.825μm，电子束蒸发Al薄膜的平均厚度是1.663μm，均符合半导体器件电极对Al膜厚的要求(小信号为1.7±0.15μm;大功率为2.5±0.3μm。
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在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被激i活的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。
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半导体真空镀膜实验室-宁夏回族自治真空镀膜由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所实力不俗，信誉可靠，在广东 广州 的电子、电工产品加工等行业积累了大批忠诚的客户。半导体研究所带着精益求精的工作态度和不断的完善创新理念和您携手步入**，共创美好未来！
