低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，PECVD真空镀膜平台，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 晶硅太阳电池的两个发展方向分别是降低成本和提升效率。光伏行业竞争激烈，继续降低成本十分困难，但提升效率仍有较大空间。复合损失是影响电池效率的关键因素。对于铝背场（Al－BSF）传统电池结构和主流的PERC电池来说，电池背面金属／半导体界面缺陷密度较高，界面复合是造成效率损失的重要原因。为了降低界面复合损失，接触面积需要进一步减少。然而，接触面积占总电池面积的比例有一个下限，否则会造成接触电阻过大，导致填充因子（FF）降低，电池转换效率下降。另一个方式则是利用结对载流子的选择通过特性（有效提高一种载流子的输运，同时阻碍另一种载流子的通过），可大幅减少金属／半导体界面的复合。

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 溅射镀膜就是在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。通常，湖北PECVD真空镀膜，利用低压惰性气体辉光放电来产生入射离子。阴极靶由镀膜材料制成，基片作为阳极，真空室中通入0.1-10Pa的气或其它惰性气体，在阴极（靶）1-3KV直流负高压或13.56MHz的射频电压作用下产生辉光放电。电离出的离子轰击靶表面，使得靶原子溅出并沉积在基片上，形成薄膜。溅射方法很多，主要有二级溅射、三级或四级溅射、磁控溅射、对靶溅射、射频溅射、偏压溅射、非对称交流射频溅射、离子束溅射以及反应溅射等。

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严格控制发Al膜的厚度是十分重要的，因为Al膜的厚度将直接影响Al膜的其它性能，PECVD真空镀膜技术，从而影响半导体器件的可靠性。对于高反压功率管来说，它的工作电压高，电流大，没有一定厚度的金属膜会造成成单位面积Al膜上电流密度过高，易烧毁。对于一般的半导体器件，Al层偏薄，则膜的连续性较差，呈岛状或网状结构，引起压焊引线困难，造成不易压焊或压焊不牢，从而影响成品率;Al层过厚，引起光刻时图形看不清，造成腐蚀困难而且易产生边缘腐蚀和“连条”现象。

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湖北PECVD真空镀膜-半导体加工-PECVD真空镀膜技术由广东省科学院半导体研究所提供。“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”选择广东省科学院半导体研究所，公司位于：广州市天河区长兴路363号，多年来，半导体研究所坚持为客户提供好的服务，联系人：曾经理。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。半导体研究所期待成为您的长期合作伙伴！