低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 磁控溅射是物理气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。在二极溅射中增加一个平行于靶表面的封闭磁场，借助于靶表面上形成的正交电磁场，把二次电子束缚在靶表面特定区域来增强电离效率，氮化钛真空镀膜加工厂，增加离子密度和能量，从而实现高速率溅射的过程。

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 真空镀膜设备选购要点分析如下：

1、炉体可选择由不锈钢、碳钢或它们的组合制成的双层水冷结构。

2、根据工艺要求选择不同规格及类型的镀膜设备，其类型有电阻蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、磁控反应溅射、离子镀、多弧离子镀等。

3、夹具运转形式有自转、公转及公转 自转方式，氮化钛真空镀膜加工厂商，用户可根据基片尺寸及形状提出相应要求，转动的速度范围及转动精度：普通可调及变频调速等。

4、真空系统由机械泵、扩散泵、油增压泵、增扩泵、罗茨泵、埚轮分子泵等及与它们相匹配的各种气动、手动、电动阀门、管道等组成。

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 随着技术的不断成熟，要求太阳电池的质量和外观也越来越高。目前，常用等离子增强化学气相沉积（PECVD）法沉积氮化硅，在晶硅太阳电池表面上一层小于100纳米的薄膜，氮化硅薄膜作为一种重要的薄膜材料，具有优良的光电性能、钝化性能和机械性能。它不仅是优良的太阳电池减反射膜，而且还有很好的表面和体钝化作用，能提高太阳电池的转换效率。在实际商业运用中，用PECVD沉积氮化硅薄膜的技术已较为成熟，光伏太阳电池行业广泛使用板式PECVD和管式PECVD，但管式PECVD法制备的氮化硅薄膜色差问题难以解决，色差会使太阳电池的外观不良，必须重新晶硅太阳电池氮化硅膜产生色差的影响因素研究返工，使得生产成本高居不下。

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