微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

　在集成电路制造中，光刻技术是利用光学、化学、物流的一系列反应原理和方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成目标功能图形的工艺技术。随着半导体技术的不断发展，光刻技术传递图形的尺寸限度不断缩小，光刻掩膜版技术已然成为一种精密的微细加工技术。

　　亚10nm结构微纳加工中采用的光刻技术就是超高精度光刻技术。多种光刻技术中，激光直写属一种高的光刻技术，可利用激光在非真空的条件下实现无掩模快速刻写。

　　换言之，超高精度激光光刻是不需要掩膜版就能实现图形刻写的。但由于激光直写技术受衍射极限以及邻近效应的限制，还很难做到纳米尺度的超高精度加工。

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接触式曝光具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、曝光设备简单、操作方便和生产等特点。

光刻技术是集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，福建半导体光刻加工，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），半导体光刻加工价钱，已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被到光刻胶薄膜上；后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。

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微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，半导体光刻加工代工，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

接触式光刻曝光主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。

接触式光刻曝光时掩模压在光刻胶的衬底晶片上，半导体光刻加工技术，其主要优点是可以使用价格较低的设备制造出较小的特征尺寸。接触式光刻和深亚微米光源已经达到了小于0.1μm的特征尺寸，常用的光源分辨率为0.5μm左右。接触式光刻机的掩模版包括了要到衬底上的所有芯片阵列图形。在衬底上涂上光刻胶，并被安装到一个由手动控制的台子上，台子可以进行X、y方向及旋转的定位控制。掩模版和衬底晶片需要通过分立视场的显微镜同时观察，这样操作者用手动控制定位台子就能把掩模版图形和衬底晶片上的图形对准了。经过紫外光曝光，光线通过掩模版透明的部分，图形就转移到了光刻胶上。

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