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距离与速度及附着力

为了得到的沉积速率并提高膜层的附着力，在保证不会破坏辉光放电自身的前提下，基片应当尽可能放置在离阴极近的地方。溅射粒子和气体分子(及离子)的平均自由程也会在其中发挥作用。当增加基片与阴极之间的距离，碰撞的几率也会增加，这样溅射粒子到达基片时所具有的能力就会减少。所以，氮化硅真空镀膜工艺，为了得到的沉积速率和的附着力，基片必须尽可能地放置在靠近阴极的位置上。

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溅射靶材均匀性对大面积镀膜的影响

对于合金溅射靶材来说，往往存在材料分布不均的情况。如硅铝靶材中铝团聚，锌铝靶材中铝偏析（铝的原子质量比锌的原子质量65少27。铝在浇注后冷却过程中会上浮，导致铝含量一侧高另一侧低）。由于熔点低，硅铝靶中的团聚铝在溅射成膜时很容易掉渣，而在喷涂过程中加入的铝量是一定的。一部分铝团聚表明其他位置的铝含量较少，影响了硅靶的热导率和电导率。所以溅射速率不一致，成膜均匀性差，靶材，靶材放电加剧。它还降低了成膜质量。靶材成分的偏析会影响溅射速率（薄膜均匀性）和薄膜成分。因此，除了控制靶材的纯度外，合金靶材的分布也很关键。

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由工作气压与沉积率的关系表可以看出:在其他参数不变的条件下，随着工气压的增大，沉积速增大后减小。在某一个佳工作气压下，山西氮化硅真空镀膜，有一个对应的大沉积速率。

3.5.1试验结果分析

气体分子平均自由程与压强有如下关系

其中为气体分子平均自由程，k为玻耳兹曼常数，T为气体温度，氮化硅真空镀膜多少钱，d为气体分子直径，p为气体压强。由此可知，在保持气体分子直径和气体温度不变的条件下，如果工作压强增大，则气体分子平均自由程将减小，溅射原子与气体分子相互碰撞次数将增加，二次电子发射将增强。

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