低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，真空镀膜价格，以及行业应用技术开发。

 真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：

(1)蒸发或溅射出来的制膜材料，在与待镀的工件生成薄膜的过程中，对其膜厚可进行比较精i确的测量和控制，从而保证膜厚的均匀性。

(2)每种薄膜都可以通过微调阀精i确地控制镀膜室中残余气体的成分和质量分数，从而防止蒸镀材料的氧化，把氧的质量分数降低到较小的程度，还可以充入惰性气体等，这对于湿式镀膜而言是无法实现的。

(3)由于镀膜设备的不断改进，镀膜过程可以实现连续化，从而较大地提高产品的产量，而且在生产过程中对环境无污染。

(4)由于在真空条件下制膜，所以薄膜的纯度高、密实性好、表面光亮不需要再加工，这就使得薄膜的力学性能和化学性能比电镀膜和化学膜好。

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 “低温CVD”工艺应用范围十分广泛，真空镀膜外协，我们半导体研究院在该领域拥有多年经验。对于无法承受高温的基材，PECVD工艺是极具吸引力的替代方案。例如，该工艺支持在塑料膜材上制备功能薄膜。由于高温下的扩散工艺可能会破坏掺杂剖面，所以PECVD镀膜工艺被广泛应用到半导体领域中。此外，PECVD工艺也可用于制备微电子器件所需的多晶硅、氮化硅或氧化硅等多种复合材料。PECVD设备可根据客户需求定制并根据其预期工艺指标适配。我们也经常在溅射设备内配置PECVD工艺模块，拓展技术能力。

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 化学气相沉积(CVD)是薄膜技术领域常用的成熟工艺。该工艺中，固体材料在气相态下，通过化学反应沉积到被加热的基材表面，形成一层薄膜。半导体研究院提供在电线和光纤等基材上沉积碳或氮化硅(SiC)材质的CVD工艺特殊解决方案。CVD镀膜是高温工艺，要求温度在500°C及以上，真空镀膜加工厂商，且能量输入极高。工艺腔室中的真空环境能够降低熔点，并在保障前驱体物质转化为气相态的同时，避免不必要的化学反应。与PVD工艺不同，化学气相沉积允许复杂形状及三维表面的膜层保形。该工艺也能够在硅片表面制备极为精细的结构。

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