低压气相沉积真空镀膜加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

 通过PECVD镀膜原理的讨论，以及后续实验的验证得出以下结论。1.硅片表面微观结构差异较大会造成比表面积明显差异，从而使氮化硅薄膜厚度产生显著差异，表现出不同颜色，天河真空镀膜外协，即色差。2.卡点的导电导热性能发生较大改变时，原来的工艺难以匹配旧卡点。因此，旧卡点产生的色差片相对要多。3.温度会影响气体反应速率。温度高反应剧烈，膜层生长较快，温度低反应缓慢，膜层生长较慢，那么，同一硅片就会产生色差。4.当舟叶表面的平整度发生变化时，电场就会发生改变。因此，同一硅片的不同区域的氮化硅膜层生长速度不同，从而产生色差。

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磁控溅射设备的主要用途：

1）各种功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。例如，磁控溅射真空镀膜外协，低温沉积氮化硅减反射膜，以提高太阳能电池的光电转换效率。

（2）装饰领域的应用，如各种全反射膜及半透明膜等，低压气相沉积真空镀膜外协，如手机外壳，鼠标等。

（3） 在微电子领域作为一种非热式镀膜技术，主要应用在化学气相沉积（CVD）或金属有机

（4）化学气相沉积（CVD）生长困难及不适用的材料薄膜沉积，而且可以获得大面积非常均匀的薄膜。

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 真空镀膜技术主要有真空蒸发镀、真空溅射镀、真空离子镀、真空束流沉积、化学气相沉积等多种方法。除化学气相沉积法外，其他几种方法均具有以下的共同特点：

 真空镀膜的方法比较多，计有：

(1)真空蒸镀：将需镀膜的基体清洗后放到镀膜室，抽空后将膜料加热到高温，使蒸气达到约13.3Pa而使蒸气分子飞到基体表面，凝结而成薄膜。

(2)阴极溅射镀：将需镀膜的基体放在阴极对面，把惰性气体(如)通入已抽空的室内，保持压强约1.33～13.3Pa，然后将阴极接上2000V的直流电源，便激发辉光放电，带正电的离子撞击阴极，使其射出原子，溅射出的原子通过惰性气氛沉积到基体上形成膜。

(3)化学气相沉积：通过热分解所选定的金属化合物或有机化合物，获得沉积薄膜的过程。

(4)离子镀：实质上离子镀系真空蒸镀和阴极溅射镀的有机结合，兼有两者的工艺特点。

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