MEMS光刻工艺外协——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。

光刻之所以得名，就是因为它通过利用光线，把带有图案的掩模板上的图形转移到晶圆片上。由于半导体技术的主要目标是尽可能的缩小电路尺寸，所以对光刻的精度要求也越来越高。高精度的光刻机是光刻步骤的基础，这就是为什么“光刻”成为备受关注的工艺步骤。

为了支持更高精度的光刻，也有先进的光刻机被制造出来。目前先进的光刻机技术是极紫外光刻技术（EUV，江苏晶圆光刻工艺，Extreme Ultra-violet），它使用波长为13.5纳米的极紫外线作为光源进行电路光刻，可以制造出7纳米及以下工艺节点的芯片。ASML是EUV光刻机的领导厂商，其新型号的光刻机号称可实现0.3纳米的精度。

光刻技术是半导体芯片工艺中昂贵的工艺，晶圆光刻工艺实验室，在先进工艺中，光刻步骤的成本可以占整个芯片加工成本的三分之一甚至更多。

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能光成像可以解决密形封装中出现的间题。在啸形封装中，当你把芯片放在上面时，芯片波此之间并不。很住将付片地保持在人们想要的微米范围内。然而，激光比成像可以解决病出型封装的肩移问题。同时，“自适应图案化”技术则是解决芯片偏移的—种方法。

国外Suss MicroTec公司在开发激光烧烛的干法图案化工艺。Suss的准分子烧蚀步进式曝光机结合了基于掩模板的图案化烧蚀。可以实现3pum的line/space，而2-2um也在进展中。

准分董优疣光的的是利所防率崇外(UVY)准分子就光拥的将胜直接去除材梓。典型的波长是3U6m 246om和]1931m。准分子说怏瞬间将相容的目标材料(和聚台物、有初机电介质)从固态转化为气态和副产物(即亚微米干碳颗粒)，从而产生很少甚至没有热影响区以及更少的碎片。

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在光刻加工中标准的工艺流程包含打底、涂层、软烤、曝光、显影和硬烤。而拥有一个能完成这些工艺步骤的光刻套件，会让光刻加工变得方便许多。

国外的ANFF-Q 大学介绍像他们使用的光刻套件设置为使用正像和反向图像光刻胶处理微米特征。所有工艺均由配方驱动，确保全晶片加工质量一致。150 毫米晶圆的典型抗蚀剂厚度均匀性 = < /- 0.5 %。已显示出亚微米光刻能力。当然，每个学校、工艺平台的设备能力都是不同的，数据都只做参考。

光刻加工的光刻设备套件为工业标准处理提供完整的工艺流程，具体为：

1、打底：用粘合促进剂涂覆晶片表面。并非所有表面都是必需的。

2、涂层：过旋转或喷涂在抗蚀剂上涂覆晶片。

3、软烤：去除抗蚀剂中的某些溶剂，可能会导致抗蚀剂质量（和厚度）的大量损失。使抵抗力更加粘稠。

4、曝光：掩模图像在抗蚀剂上的投影会引起选择性的化学性质变化

5、显影：曝光后有选择地去除抗蚀剂。通常是湿法工艺（尽管存在干法工艺）。

6、硬烤：从抗蚀剂上清除掉大部分剩余的溶剂。

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江苏晶圆光刻工艺-半导体研究所-晶圆光刻工艺平台由广东省科学院半导体研究所提供。广东省科学院半导体研究所是一家从事“深硅刻蚀,真空镀膜,磁控溅射,材料刻蚀,紫外光刻”的公司。自成立以来，我们坚持以“诚信为本，稳健经营”的方针，勇于参与市场的良性竞争，使“半导体”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上，用户至上”的原则，使半导体研究所在电子、电工产品加工中赢得了客户的信任，树立了良好的企业形象。 特别说明：本信息的图片和资料仅供参考，欢迎联系我们索取准确的资料，谢谢！