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光刻胶涂覆后，在硅片边缘的正反两面都会有光刻胶的堆积。

光刻（Photolithography)是一种图形转移的方法，在微纳加工当中不可或缺的技术。光刻是一个比较大的概念，其实它是有多步工序所组成的。

1.清洗：清洗衬底表面的有机物。

2.旋涂：将光刻胶旋涂在衬底表面。

3.曝光。将光刻版与衬底对准，在紫外光下曝光一定的时间。

4.显影：将曝光后的衬底在显影液下显影一定的时间，受过紫外线曝光的地方会溶解在显影液当中。

5.后烘。将显影后的衬底放置热板上后烘，以增强光刻胶与衬底之前的粘附力。

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光刻可能会出现显影不干净的异常，宁夏回族自治光刻，主要原因可能是显影时间不足、显影溶液使用周期过长，溶液溶解胶量较多、曝光时间不足。

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。硅片清洗烘干方法：湿法清洗 去离子水冲洗 脱水烘焙（热板150～250C，1～2分钟，氮气保护）目的：

a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子）；

b、除去水蒸气，使基底表面由亲水性变为憎水性，增强表面的黏附性（对光刻胶或者是HMDS-〉六甲i基二硅胺烷）。

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负胶光刻的基本流程：衬底清洗、前烘以及预处理、涂胶、软烘、曝光、后烘、显影、图形检查。

日本能把持光刻胶这么多年背后的深层次逻辑是什么？究其原因，主要是技术和市场两大壁垒过高导致的。首先，光刻价钱，光刻胶作为半导体产业的基础材料，扮演着极其重要的角色，甚至可以和光刻机相媲美，但市场规模却很小。2019年的全i球光刻胶市场的规模才90亿美元，不及一家大型IC设计企业的年营收，行业成长空间有限，自然进入的企业就少。另一方面，光刻胶又是一个具有极高技术壁垒的产业。由于不同的客户会有不同的应用需求，同一个客户也有不同的光刻应用需求。导致光刻胶的种类极其繁杂，必须通过调整光刻胶的配方，满足差异化应用需求，这也是光刻胶制造商较中心的技术。

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